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產品名稱：PL50-LM2、PAL50-LM2 所屬分類：測試探針 產品簡介：測試探針外徑為0.68mm，頂針總長為28.0mm測試探針、頂針、彈簧針、PCB測試針、ICT測試針、測試架探針 產品介紹（產品概述）: 針管:磷銅管鍍金 彈簧：不銹鋼線 針桿：鈹銅或SK4鍍金或銠 套管：磷銅鍍金 鉆孔尺寸：0.90mm 額定電流：3安培 接觸電阻：50毫歐姆 接觸彈力：100g 訂購熱線：400-183-6682
產品名稱：PL50-J、PAL50-J 所屬分類：測試探針 產品簡介：測試探針外徑為0.68mm，頂針總長為28.0mm測試探針、頂針、彈簧針、PCB測試針、ICT測試針、測試架探針 產品介紹（產品概述）: 針管:磷銅管鍍金 彈簧：不銹鋼線 針桿：鈹銅或SK4鍍金或銠 套管：磷銅鍍金 鉆孔尺寸：0.90mm 額定電流：3安培 接觸電阻：50毫歐姆 接觸彈力：100g 訂購熱線：400-183-6682
產品名稱：PL50-H、PAL50-H 所屬分類：測試探針 產品簡介：測試探針外徑為0.68mm，頂針總長為28.0mm測試探針、頂針、彈簧針、PCB測試針、ICT測試針、測試架探針 產品介紹（產品概述）: 針管:磷銅管鍍金 彈簧：不銹鋼線 針桿：鈹銅或SK4鍍金或銠 套管：磷銅鍍金 鉆孔尺寸：0.90mm 額定電流：3安培 接觸電阻：50毫歐姆 接觸彈力：100g 訂購熱線：400-183-6682
產品名稱：PL50-G、PAL50-G 所屬分類：測試探針 產品簡介：測試探針外徑為0.68mm，頂針總長為28.0mm測試探針、頂針、彈簧針、PCB測試針、ICT測試針、測試架探針 產品介紹（產品概述）: 針管:磷銅管鍍金 彈簧：不銹鋼線 針桿：鈹銅或SK4鍍金或銠 套管：磷銅鍍金 鉆孔尺寸：0.90mm 額定電流：3安培 接觸電阻：50毫歐姆 接觸彈力：100g 訂購熱線：400-183-6682
產品名稱：PL50-F、PAL50-F 所屬分類：測試探針 產品簡介：測試探針外徑為0.68mm，頂針總長為28.0mm測試探針、頂針、彈簧針、PCB測試針、ICT測試針、測試架探針 產品介紹（產品概述）: 針管:磷銅管鍍金 彈簧：不銹鋼線 針桿：鈹銅或SK4鍍金或銠 套管：磷銅鍍金 鉆孔尺寸：0.90mm 額定電流：3安培 接觸電阻：50毫歐姆 接觸彈力：100g 訂購熱線：400-183-6682
產品名稱：PL50-E、PAL50-E 所屬分類：測試探針 產品簡介：測試探針外徑為0.68mm，頂針總長為28.0mm測試探針、頂針、彈簧針、PCB測試針、ICT測試針、測試架探針 產品介紹（產品概述）: 針管:磷銅管鍍金 彈簧：不銹鋼線 針桿：鈹銅或SK4鍍金或銠 套管：磷銅鍍金 鉆孔尺寸：0.90mm 額定電流：3安培 接觸電阻：50毫歐姆 接觸彈力：100g 訂購熱線：400-183-6682
產品名稱：PL50-B、PAL50-B 所屬分類：測試探針 產品簡介：測試探針外徑為0.68mm，頂針總長為28.0mm測試探針、頂針、彈簧針、PCB測試針、ICT測試針、測試架探針 產品介紹（產品概述）: 針管:磷銅管鍍金 彈簧：不銹鋼線 針桿：鈹銅或SK4鍍金或銠 套管：磷銅鍍金 鉆孔尺寸：0.90mm 額定電流：3安培 接觸電阻：50毫歐姆 接觸彈力：100g 訂購熱線：400-183-6682
產品名稱：PL50-A、PAL50-A 所屬分類：測試探針 產品簡介：測試探針外徑為0.68mm，頂針總長為28.0mm測試探針、頂針、彈簧針、PCB測試針、ICT測試針、測試架探針 產品介紹（產品概述）: 針管:磷銅管鍍金 彈簧：不銹鋼線 針桿：鈹銅或SK4鍍金或銠 套管：磷銅鍍金 鉆孔尺寸：0.90mm 額定電流：3安培 接觸電阻：50毫歐姆 接觸彈力：100g 訂購熱線：400-183-6682
產品名稱：R160-2S 3S 3C 所屬分類：測試探針 鉆孔尺寸有：1.70mm 產品簡介：R160焊線式套管，針套外徑為1.67mm，P160探針針套 訂購熱線：400-183-6682 產品介紹（產品概述）： 針管：磷銅管鍍金 彈簧：不銹鋼線 套管：黃銅管鍍金 針桿：磷銅鍍鎳或鈹銅 鉆孔尺寸：1.70mm 接觸彈力：140g 鉆孔尺寸：1.70mm
產品名稱：R160-1W、2W、3W 所屬分類：測試探針 探針鉆孔尺寸有：1.70mm 產品簡介：P160探針、1.36mm測試針、總長24.50mm、彈簧針、測試針、頂針、探針 訂購熱線：400-183-6682 產品介紹（產品概述）： 針管：磷銅管鍍金 彈簧：不銹鋼線 套管：黃銅管鍍金 針桿：磷銅鍍鎳或鈹銅 鉆孔尺寸：1.70mm 接觸彈力：140g
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探針測試行業(yè)發(fā)展趨勢（1）設備將向高精度化方向發(fā)展現(xiàn)階段半導體器件主要通過提高集成度的方式實現(xiàn)更多功能或更快響應。為此，半導體制造過程一般會縮小器件特征尺寸，如高端邏輯芯片的電路制程線寬已由微米級別縮小至納米級別，最小已達3納米；在光電芯片中，最小的Micro LED尺寸也已經縮小至50μm以下。此外，為避免器件集成度提高后單位制造成本過度上漲，業(yè)界一般使用更大尺寸的晶圓，通過在單片晶圓片上制造更多的芯片并提高邊緣區(qū)域使用率的方法降低單位制造成本，目前主流晶圓尺寸已從4英寸、6英寸，逐步發(fā)展到8英寸和12英寸。
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